Metall von Keramiksubstraten

Metall ausKeramiksubstrate:

A. Dickschichtmethode: Dickschichtmetallisierungsmethode, die durch Siebdruck auf der Oberfläche gebildet wirdKeramiksubstrat, Bilden eines Leiters (Stromkreisverdrahtung) und Widerstand usw., Sinterbildungsstromkreis und Bleikontakt usw., Oxid- und Glas- und Oxid-Mischsystem;
B. Filmgesetz: Metallisierung durch Vakuumbeschichtung, Ionenplattierung, Sputterbeschichtung usw. Der Wärmeausdehnungskoeffizient des Metallfilms und derKeramiksubstratmöglichst optimal sein und die Haftung der Metallisierungsschicht soll verbessert werden;
C. Gemeinsames Brennverfahren: Vor dem Brennen wird auf die grüne Keramikfolie eine Dickfilmaufschlämmung aus Mo, W et al.-Drahtdruck aufgetragen, so dass die Keramik und das Leitermetall zu einer Struktur verbrannt werden. Dieses Verfahren weist die folgenden Merkmale auf :
■ Die feine Schaltungsverdrahtung kann leicht mehrschichtig ausgeführt werden, so dass eine Verdrahtung mit hoher Dichte erreicht werden kann.
■ Durch Isolator und Leiter luftdichte Verpackung;
■ Durch die Auswahl der Inhaltsstoffe, Formdrücke, Sintertemperaturen und die Entwicklung der Sinterschrumpfung wird insbesondere die Entwicklung schrumpfungsfreier Substrate in planarer Richtung erfolgreich für den Einsatz in hochdichten Gehäusen wie BGA, CSP und Bare realisiert Chips.