Siliziumkarbid-Substrat

SiliziumHartmetallsubstrat:

A. Rohstoff: SiC wird nicht auf natürliche Weise hergestellt, sondern wird mit Kieselsäure, Koks und einer kleinen Menge Salz vermischt und im Graphitofen auf mehr als 2000 ° C erhitzt, wodurch A-SIC entsteht. Vorsichtsmaßnahmen können eine dunkelgrüne blockförmige polykristalline Anordnung erhalten;

B. Herstellungsverfahren: Die chemische und thermische Stabilität von SiC ist sehr gut. Es ist schwierig, mit herkömmlichen Methoden eine Verdichtung zu erreichen, daher ist es notwendig, ein Sinterhilfsmittel hinzuzufügen und spezielle Methoden zum Brennen zu verwenden, normalerweise durch Vakuum-Thermopressen.

C. Merkmale des SiC-Substrats: Die auffälligste Eigenschaft ist, dass der Wärmediffusionskoeffizient besonders groß ist, sogar mehr Kupfer als Kupfer, und sein Wärmeausdehnungskoeffizient näher an Si liegt. Natürlich gibt es einige Nachteile, relativ gesehen ist die Dielektrizitätskonstante hoch und die Isolationsfestigkeitsspannung schlechter;

D. Anwendung: Für SiliziumHartmetallsubstrate, lange Verlängerung, mehrfache Verwendung von Niederspannungsschaltkreisen und VLSI-Hochkühlungspaketen, wie z. B. Hochgeschwindigkeits-LSI-Band mit hoher Integrationslogik und supergroßen Computern, Lichtkommunikationskredit-Laserdiodensubstratanwendung usw.

Gehäusesubstrat (BE0):

Seine Wärmeleitfähigkeit ist mehr als doppelt so hoch wie die von A1203, das für Hochleistungsschaltkreise geeignet ist, und seine Dielektrizitätskonstante ist niedrig und kann für Hochfrequenzschaltkreise verwendet werden. Das BE0-Substrat wird im Wesentlichen durch ein Trockendruckverfahren hergestellt und kann auch unter Verwendung einer Spurenmenge von MgO und A1203 hergestellt werden, beispielsweise durch ein Tandemverfahren. Aufgrund der Toxizität des BE0-Pulvers besteht ein Umweltproblem, und das BE0-Substrat ist in Japan nicht erlaubt, es kann nur aus den USA importiert werden.