Siliziumnitridplatte und ihr Herstellungsverfahren

Patentname:Siliziumnitrid-Substratund dessen Herstellungsverfahren sowie das Herstellungsverfahren für Siliziumnitrid-Leiterplatten und Halbleitermodule unter Verwendung der Siliziumnitridplatte
Technischen Bereich:
Die vorliegende Erfindung umfasstSiliziumnitrid-Substratund seine Herstellungsmethoden. Darüber hinaus umfasst die Erfindung die Verwendung von Siliziumnitrid-Schaltungssubstraten und Halbleitermodulen, die diese verwendenSiliziumnitrid-Substrat.
Hintergrundtechnik:
In den letzten Jahren wurden in den Bereichen und anderen Bereichen von Elektrofahrzeugen Leistungshalbleitermodule (Leistungshalbleitermodule) (IGBT, Leistungs-MOSFET usw.) entwickelt, die mit hoher Spannung und großem Strom arbeiten können. Für das im Leistungshalbleitermodul verwendete Substrat kann eine Oberfläche eines isolierenden Keramiksubstrats zur Kombination mit einer Metallleiterplatte verwendet werden, und das Keramikschaltungssubstrat mit einer Metallkühlerplatte auf einer anderen Oberfläche kann verwendet werden. Darüber hinaus Halbleiterelemente auf der Metallleiterplatte und so weiter. Die Kombination der oben genannten isolierenden Keramiksubstrate mit Metallleiterplatten und Metallkühlkörpern, wie z. B. dem sogenannten Kupfer auf Kupferbasis, ist direkt verbunden zu legal. Bei einem solchen Leistungshalbleitermodul ist die Wärmeabfuhr durch das Durchfließen großer Ströme größer. Da das oben erwähnte isolierende Keramiksubstrat jedoch eine geringe Wärmeleitfähigkeit aufweist, kann es zu einem Faktor werden, der die Wärmeableitung von Halbleiterkomponenten behindert. Darüber hinaus wird die Erzeugung thermischer Spannungen durch die Wärmeausdehnungsrate zwischen dem isolierenden Keramiksubstrat und der Metallleiterplatte sowie der Metallkühlkörperplatte verursacht. Infolgedessen kommt es zu Rissen und Zerstörung des isolierenden Keramiksubstrats, oder die Metallleiterplatte bzw. die metallische Wärmeableitung wird vom isolierenden Keramiksubstrat gelöst.