Verschleißfestes Siliziumnitrid-Substrat

Als professioneller Torbo® von hoher QualitätVerschleißfestes Siliziumnitrid-SubstratAls Hersteller können Sie sicher sein, dass Sie ein verschleißfestes Siliziumnitrid-Substrat in unserem Werk kaufen. Wir bieten Ihnen den besten Kundendienst und eine pünktliche Lieferung. Die hohe Siliziumkonzentration macht das verschleißfeste Siliziumnitrid-Substrat äußerst widerstandsfähig gegen Schäden durch ionisierende Strahlung und Temperaturschwankungen, was sie ideal für den Einsatz im Weltraum und bei Hochtemperaturanwendungen macht. Ein Torbo®Verschleißfestes Siliziumnitrid-Substratist ein Material, das in der Elektronikfertigung verwendet wird. Es besteht aus einer dünnen Schicht Siliziumnitrid, das einen hohen Widerstand gegen elektrische Leitfähigkeit und eine hohe Konzentration an Siliziumatomen aufweist. Dieses Material wird häufig bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen wie Transistoren und Dioden sowie optoelektronischen Bauelementen wie Solarzellen und Leuchtdioden (LEDs) verwendet.

Das verschleißfeste Torbo®-Siliziumnitrid-Substrat

Artikel: Siliziumnitrid-Substrat

Material: Si3N4

Farbe: Grau

Dicke: 0,25–1 mm

Oberflächenbearbeitung: Doppelt poliert

Schüttdichte: 3,24 g/㎤

Oberflächenrauheit Ra: 0,4 μm

Biegefestigkeit: (3-Punkt-Methode): 600–1000 MPa

Elastizitätsmodul: 310 Gpa

Bruchzähigkeit (IF-Methode): 6,5 MPa･√m

Wärmeleitfähigkeit: 25°C 15-85 W/(m･K)

Dielektrischer Verlustfaktor: 0,4

Durchgangswiderstand: 25°C >1014 Ω･㎝

Durchschlagsfestigkeit: DC >15㎸/㎜

Die Tasche®Verschleißfestes Siliziumnitrid-SubstratDie von der chinesischen Fabrik hergestellten Produkte werden in Elektronikbereichen wie Leistungshalbleitermodulen, Wechselrichtern und Konvertern eingesetzt und ersetzen andere Isoliermaterialien, um die Produktionsleistung zu steigern und Größe und Gewicht zu reduzieren.

Ihre extrem hohe Festigkeit macht sie außerdem zu einem Schlüsselmaterial, das die Lebensdauer und Zuverlässigkeit der Produkte, in denen sie verwendet werden, erhöht. Doppelseitige Wärmeableitung in Leistungskarten (Leistungshalbleitern), Leistungssteuergeräten für Automobile

FAQ

3. Welche Vorteile bietet die Verwendung von verschleißfestem Siliziumnitrid-Substrat in elektronischen Produkten?

Elektronische Substrate bieten mehrere Vorteile, wie beispielsweise eine hervorragende thermische und mechanische Stabilität, eine hohe Maßgenauigkeit und einen niedrigen Wärmeausdehnungskoeffizienten (CTE).

4. Was sind die Herausforderungen bei der Herstellung verschleißfester Siliziumnitridsubstrate?

Zu den größten Herausforderungen bei der Herstellung elektronischer Substrate gehören die Sicherstellung einer gleichmäßigen Dicke, die Vermeidung von Fehlern wie Hohlräumen und Delaminierung sowie die Kontrolle des CTE.

5. Kann das verschleißfeste Siliziumnitrid-Substrat an spezifische Produktanforderungen angepasst werden?

Ja, elektronische Substrate können durch Anpassung von Parametern wie Dicke, Dielektrizitätskonstante und Steifigkeit an spezifische Produktanforderungen angepasst werden. Dies ermöglicht eine größere Flexibilität bei der Produktgestaltung und Leistungsoptimierung.